我们已经提供了3D-NAND闪存介绍的背景，应该可以让您大致了解三星V-NAND结构的含义。在这篇文章中，我们将继续详细了解V-NAND的内容。首先我们通过具体参数的对比来感受一下V-NAND的优势：从上表可以看出，与2D平面闪存相比，结构闪存垂直V-NAND的优势非常显着，主要是重点关注两点： 1、容量增加：每个存储块（block）的页数增加2倍，每个块存储（block）可包含的字节数从1024 KB增加到3*1024 KB。字节数代表存储容量的增加； 2、性能提升：V-NAND es每页的写入时间t为0.6ms，而flat NAND的页写入时间为2ms，V-NAND快1.4ms，时间就是寿命。随机读取方面，V-NAND与planar NAND的差距仅为3us，处于同一水平。在块擦除方面，V-NAND比平面NAND快1ms。在上一篇文章中，我们提到在2D平面NAND中，随着工艺低于20nm，不同存储单元之间的相互作用增加，相位干扰效应增加。更严重的是，为了减少干扰影响，三星在V-NAND中引入了电荷陷阱（ChargeTrapFlash，CTF）的概念，旨在尽可能消除存储单元之间的干扰。从上面的示意图我们可以了解到： 在水平方向，即位线方向，不同的单位单元存储区域彼此间隔一定距离并由绝缘层阻挡。我们可以说，在水平方向上，不同存储之间的距离。晶胞基本上不存在。在垂直方向上，不同单元之间的距离达到40纳米，远大于平面NAND的几十纳米。因此，在垂直方向上，存储单元的不同单元之间的干扰非常低。在2D平面NAND中，存储单元采用浮栅结构。如下左图所示，电荷存储在浮栅导体中。在三星V-NAND中，存储单元采用CTF结构，电荷存储在绝缘体中，如下图右侧所示。与浮栅结构相比，CTF结构具有静态电荷储存在绝缘体中并且不太可能逸出。因此，在一定程度上可以说，采用CTF结构的NAND闪存比采用NAND闪存的可靠性更高。浮栅的结构。这里还要提一下，在目前的3D NAND技术中，英特尔和美光发布的3D NAND仍然采用浮栅结构。这并不是要比较英特尔/美光和三星 3D NAND 的优缺点。我只是从技术角度来分析哦。 Intel/Micron 3D NAND有自己的优化措施，并且保持可靠。刚才我们提到了不同存储单元之间的干扰效应。下面我们看一个对比表： 从上图中我们可以看到，与平面NAND闪存相比，V-NAND存储单元的分布范围发生了变化。窄了 33%。 ret的优势这种减少在于降低了读写错误的风险，并使单元更加可靠。此外，V-NAND存储单元之间的干扰减少了84%。同样，减少不同存储单元之间的干扰也可以显着提高NAND的可靠性。有兴趣且预算允许的同学可以购买一块三星V-NAND SSD来玩玩。你会感到惊讶的！